{ "format": "shikakustudy-deck", "formatVersion": 1, "slug": "koutan-kiso-tango", "title": "工事担任者 基礎科目 単語帳", "examName": "工事担任者", "cards": [ { "front": "磁界の強さ H", "back": "磁石の力がはたらく空間の強さ。単位はアンペア毎メートル。" }, { "front": "磁束密度 B", "back": "単位面積あたりの磁束。単位はテスラ。透磁率 × 磁界の強さ。" }, { "front": "磁束 Φ", "back": "磁力線の総量。単位はウェーバ。磁束密度 × 面積。" }, { "front": "透磁率 μ", "back": "磁束の通りやすさ。単位はヘンリー毎メートル。" }, { "front": "右ねじの法則", "back": "導体に流れる電流の向きと、そのまわりの磁界の向きの関係。" }, { "front": "フレミングの左手の法則", "back": "磁界中の導体に働く力の向き。中指が電流、人差し指が磁界、親指が力。" }, { "front": "フレミングの右手の法則", "back": "磁界中で導体を動かしたときの起電力の向き。" }, { "front": "レンツの法則", "back": "誘導起電力は、もとの磁束の変化を妨げる向きに生じる。" }, { "front": "自己インダクタンス", "back": "コイル自身の電流変化が、自分に起電力を生じさせる度合い。単位はヘンリー。" }, { "front": "相互インダクタンス", "back": "一方のコイルの電流変化が、他方に起電力を生じさせる度合い。" }, { "front": "渦電流", "back": "磁界中の金属板に生じる渦状の電流。変圧器では損失になる。" }, { "front": "成層鉄心", "back": "薄い鉄板を重ねた鉄心。渦電流の経路を細かく切って損失を減らす。" }, { "front": "静電容量 C", "back": "電荷をためられる度合い。単位はファラド。" }, { "front": "誘電率 ε", "back": "誘電体が電荷をためやすくする度合い。" }, { "front": "比誘電率", "back": "真空の誘電率に対する倍率。" }, { "front": "クーロンの法則", "back": "2つの点電荷の間の力。電荷の積に比例し、距離の2乗に反比例。" }, { "front": "電界 E", "back": "電気の力がはたらく場。単位はボルト毎メートル。" }, { "front": "電位", "back": "ある点の電気的な高さ。単位はボルト。" }, { "front": "静電誘導", "back": "帯電体を近づけたとき、導体内で電荷が偏る現象。" }, { "front": "静電遮へい", "back": "導体で囲むことで、外部の電界の影響を遮ること。" }, { "front": "合成抵抗", "back": "複数の抵抗をまとめて1つとみなしたときの値。" }, { "front": "キルヒホッフ第1法則", "back": "分岐点に入る電流の和と出る電流の和は等しい。" }, { "front": "キルヒホッフ第2法則", "back": "閉回路を一周すると、起電力の和と電圧降下の和が等しい。" }, { "front": "ホイートストンブリッジ", "back": "4つの抵抗をひし形に組んだ回路。平衡条件は向かい合う抵抗の積が等しいこと。" }, { "front": "内部抵抗", "back": "電池が内部に持っている抵抗。端子電圧を下げる原因。" }, { "front": "端子電圧", "back": "起電力から内部抵抗による電圧降下を引いたもの。" }, { "front": "抵抗率 ρ", "back": "物質の電気の通しにくさ。単位はオームメートル。" }, { "front": "導電率 σ", "back": "抵抗率の逆数。電気の通しやすさ。" }, { "front": "温度係数", "back": "温度が変わったときの抵抗の変化率。金属は正、半導体は負。" }, { "front": "実効値", "back": "同じ熱を出す直流に置きかえた値。正弦波では最大値の 0.707倍。" }, { "front": "平均値", "back": "半周期を平らにならした値。正弦波では最大値の 0.637倍。" }, { "front": "波形率", "back": "実効値 ÷ 平均値。正弦波では約1.11。" }, { "front": "波高率", "back": "最大値 ÷ 実効値。正弦波では約1.41。" }, { "front": "誘導性リアクタンス XL", "back": "コイルの交流に対する抵抗。周波数が高いほど大きい。" }, { "front": "容量性リアクタンス XC", "back": "コンデンサの交流に対する抵抗。周波数が高いほど小さい。" }, { "front": "インピーダンス Z", "back": "交流回路全体の抵抗。抵抗とリアクタンスを三平方の定理で合成。" }, { "front": "共振", "back": "誘導性と容量性のリアクタンスが打ち消し合う状態。" }, { "front": "皮相電力 S", "back": "電圧 × 電流。単位はボルトアンペア。" }, { "front": "有効電力 P", "back": "実際に仕事をする電力。単位はワット。" }, { "front": "無効電力 Q", "back": "行って戻るだけの電力。単位はバール。" }, { "front": "力率", "back": "有効電力 ÷ 皮相電力。位相差のコサイン。" }, { "front": "真性半導体", "back": "不純物を含まない純粋な半導体。シリコン、ゲルマニウム。" }, { "front": "価電子", "back": "原子のいちばん外側にある電子。半導体では4個。" }, { "front": "ドナー", "back": "n形を作るために混ぜる5価の元素。電子を供給する。" }, { "front": "アクセプタ", "back": "p形を作るために混ぜる3価の元素。電子を受け取る。" }, { "front": "多数キャリア", "back": "電気を運ぶ主役。n形では自由電子、p形では正孔。" }, { "front": "少数キャリア", "back": "主役ではないほう。n形では正孔、p形では自由電子。" }, { "front": "正孔（ホール）", "back": "電子が抜けた空席。プラスの電荷のように振る舞う。" }, { "front": "pn接合", "back": "n形とp形を接合したもの。ダイオードの基本構造。" }, { "front": "空乏層", "back": "pn接合の境目にできる、キャリアのいない層。" }, { "front": "順方向", "back": "p側にプラスをかけた状態。電流が流れる。" }, { "front": "逆方向", "back": "n側にプラスをかけた状態。電流はほとんど流れない。" }, { "front": "降伏（ブレークダウン）", "back": "逆方向電圧を上げたとき、急に電流が流れ始める現象。" }, { "front": "定電圧ダイオード", "back": "降伏現象を利用して電圧を一定に保つ素子。ツェナーダイオード。" }, { "front": "可変容量ダイオード", "back": "逆方向電圧で空乏層の厚さを変え、静電容量を変える素子。" }, { "front": "発光ダイオード（LED）", "back": "順方向電流で光を出す素子。" }, { "front": "ホトダイオード（PD）", "back": "光が当たると電流が流れる素子。" }, { "front": "アバランシホトダイオード（APD）", "back": "電子なだれで増倍する受光素子。微弱な光を検出できる。" }, { "front": "レーザダイオード（LD）", "back": "位相のそろった光を出す素子。スペクトル幅が狭い。" }, { "front": "エミッタ", "back": "トランジスタでキャリアを送り出す電極。" }, { "front": "ベース", "back": "トランジスタで制御する電極。薄く作られる。" }, { "front": "コレクタ", "back": "トランジスタでキャリアを集める電極。" }, { "front": "電流増幅率", "back": "コレクタ電流 ÷ ベース電流。" }, { "front": "エミッタ接地", "back": "ベース入力・コレクタ出力。位相が反転する。" }, { "front": "ベース接地", "back": "エミッタ入力・コレクタ出力。入力抵抗が小さい。" }, { "front": "コレクタ接地", "back": "ベース入力・エミッタ出力。エミッタホロワともいう。" }, { "front": "FET", "back": "電界効果トランジスタ。電圧で制御する。電極はソース・ゲート・ドレーン。" }, { "front": "MOS形FET", "back": "ゲートが絶縁されたFET。入力抵抗が非常に高い。" }, { "front": "ユニポーラトランジスタ", "back": "キャリアが1種類のトランジスタ。FETのこと。" }, { "front": "バイポーラトランジスタ", "back": "キャリアが2種類のトランジスタ。通常のトランジスタ。" }, { "front": "DRAM", "back": "コンデンサに電荷をためる揮発性メモリ。リフレッシュが必要。" }, { "front": "SRAM", "back": "フリップフロップで保持する揮発性メモリ。リフレッシュ不要。" }, { "front": "ROM", "back": "読み出し専用の不揮発性メモリ。" }, { "front": "フラッシュメモリ", "back": "電気的に書き換えられる不揮発性メモリ。" }, { "front": "2進数", "back": "0と1だけで数を表す方法。" }, { "front": "16進数", "back": "0〜9とA〜Fで数を表す方法。2進数4桁が1桁に対応。" }, { "front": "論理積（AND）", "back": "入力が両方1のときだけ出力が1。" }, { "front": "論理和（OR）", "back": "入力のどちらかが1なら出力が1。" }, { "front": "否定（NOT）", "back": "入力を反転する。" }, { "front": "否定論理積（NAND）", "back": "ANDの出力を反転したもの。" }, { "front": "否定論理和（NOR）", "back": "ORの出力を反転したもの。" }, { "front": "排他的論理和（EX-OR）", "back": "入力が互いに異なるときだけ出力が1。" }, { "front": "真理値表", "back": "入力の全組み合わせに対する出力を並べた表。" }, { "front": "ベン図", "back": "丸の重なりで集合の関係を表した図。" }, { "front": "ブール代数", "back": "論理式を扱うための代数。" }, { "front": "ド・モルガンの法則", "back": "否定を中に入れると AND と OR が入れ替わる。" }, { "front": "カルノー図", "back": "論理式を簡単にするための図。" }, { "front": "フリップフロップ", "back": "1ビットの情報を保持する回路。" }, { "front": "デシベル", "back": "比を対数で表した単位。かけ算を足し算に変える。" }, { "front": "dBm", "back": "1ミリワットを基準にした絶対レベル。" }, { "front": "利得", "back": "信号が増えること。デシベルで表す。" }, { "front": "損失", "back": "信号が減ること。デシベルで表す。" }, { "front": "伝送量", "back": "送信端から受信端までの利得と損失の合計。" }, { "front": "特性インピーダンス", "back": "ケーブル固有のインピーダンス。長さに関係しない。" }, { "front": "整合", "back": "終端のインピーダンスを特性インピーダンスに合わせること。" }, { "front": "反射係数", "back": "どれだけ反射するかを表す値。差を和で割ったもの。" }, { "front": "近端漏話（NEXT）", "back": "信号を送り込んだ端と同じ側に現れる漏話。" }, { "front": "遠端漏話（FEXT）", "back": "信号が届く側に現れる漏話。" }, { "front": "漏話減衰量", "back": "漏話の程度。大きいほど漏話は小さい。" }, { "front": "静電結合", "back": "回線間の静電容量を通じた漏れ。" }, { "front": "電磁結合", "back": "回線間の相互インダクタンスを通じた漏れ。" }, { "front": "平衡度", "back": "回線の対称性。高いほど漏話が小さい。" }, { "front": "熱雑音", "back": "導体中の電子の熱運動による雑音。" }, { "front": "SN比", "back": "信号電力と雑音電力の比。デシベルで表す。" }, { "front": "一次定数", "back": "線路そのものが持つ R・L・C・G の4つ。" }, { "front": "二次定数", "back": "一次定数から導かれる特性インピーダンスと伝搬定数。" }, { "front": "表皮効果", "back": "高い周波数で電流が導体の表面付近に集まる現象。" }, { "front": "等化器", "back": "周波数によって違う減衰量を平らにそろえる回路。" }, { "front": "バイアス", "back": "増幅回路にあらかじめ与えておく直流の電圧・電流。" }, { "front": "動作点", "back": "バイアスによって決まる、信号がないときの電流と電圧の組み合わせ。" }, { "front": "A級増幅", "back": "全周期にわたって電流が流れる。ひずみが小さく効率が悪い。" }, { "front": "B級増幅", "back": "半周期だけ電流が流れる。プッシュプルで使う。" }, { "front": "C級増幅", "back": "半周期未満。効率が高いがひずみが大きい。高周波電力増幅に使う。" }, { "front": "プッシュプル増幅", "back": "B級を2つ組み合わせ、上下の半周期を分担させる方式。" }, { "front": "熱暴走", "back": "温度上昇でコレクタ電流が増え、さらに発熱する悪循環。" }, { "front": "負帰還", "back": "出力の一部を逆位相で入力に戻すこと。増幅度は下がるが安定する。" }, { "front": "正帰還", "back": "出力の一部を同位相で入力に戻すこと。発振に使う。" }, { "front": "発振", "back": "入力がないのに一定周波数の出力が出続ける状態。" }, { "front": "LC発振回路", "back": "コイルとコンデンサで周波数を決める発振回路。高周波向き。" }, { "front": "CR発振回路", "back": "抵抗とコンデンサで周波数を決める発振回路。低周波向き。" }, { "front": "水晶発振回路", "back": "水晶振動子を使う発振回路。周波数の安定度が非常に高い。" }, { "front": "圧電効果", "back": "力を加えると電圧が生じ、電圧をかけると変形する現象。" }, { "front": "演算増幅器", "back": "増幅度と入力抵抗が非常に大きく、出力抵抗が小さい増幅器。" }, { "front": "搬送波", "back": "情報を載せるための高い周波数の波。" }, { "front": "変調", "back": "搬送波の性質を、送るデータに応じて変えること。" }, { "front": "ASK", "back": "振幅を変える変調方式。" }, { "front": "FSK", "back": "周波数を変える変調方式。" }, { "front": "PSK", "back": "位相を変える変調方式。" }, { "front": "QAM", "back": "振幅と位相の両方を変える変調方式。" }, { "front": "多値化", "back": "1回の変調で複数ビットを送ること。" }, { "front": "信号点配置図", "back": "変調された信号を位相と振幅の平面に点で表した図。" }, { "front": "PCM", "back": "パルス符号変調。標本化・量子化・符号化の3工程。" }, { "front": "標本化", "back": "一定の間隔でアナログ信号の値を抜き出すこと。" }, { "front": "標本化定理", "back": "最高周波数の2倍以上で標本化すれば復元できる。" }, { "front": "量子化", "back": "抜き出した値を決まった段数に丸めること。" }, { "front": "量子化雑音", "back": "丸めたときの誤差による雑音。" }, { "front": "符号化", "back": "丸めた値を0と1の並びに直すこと。" }, { "front": "圧伸", "back": "小さい信号に細かい段を割り当てる非直線量子化。" }, { "front": "時分割多重（TDM）", "back": "時間を区切って複数の信号を流す方式。" }, { "front": "周波数分割多重（FDM）", "back": "周波数帯を分けて複数の信号を流す方式。" }, { "front": "波長分割多重（WDM）", "back": "光の波長を分けて複数の信号を流す方式。" }, { "front": "符号分割多重（CDM）", "back": "符号を分けて複数の信号を流す方式。" }, { "front": "スペクトル拡散", "back": "信号を広い帯域に広げて送る技術。" }, { "front": "コア", "back": "光ファイバの中心部。屈折率が高い。" }, { "front": "クラッド", "back": "コアの周囲。屈折率が低い。" }, { "front": "全反射", "back": "屈折率の高い側から低い側へ入るとき、境界ですべて反射する現象。" }, { "front": "シングルモード", "back": "光の通り道が1つの光ファイバ。長距離・高速向き。" }, { "front": "マルチモード", "back": "光の通り道が複数の光ファイバ。短距離向き。" }, { "front": "モード分散", "back": "通り道の違いで生じる分散。マルチモードだけ。" }, { "front": "材料分散", "back": "波長による屈折率の違いで生じる分散。" }, { "front": "レイリー散乱", "back": "ガラスの微小なゆらぎによる散乱損失。" }, { "front": "曲げ損失", "back": "ファイバを小さく曲げたときに光が漏れる損失。" }, { "front": "符号誤り率（BER）", "back": "送ったビットのうち誤ったビットの割合。" }, { "front": "アイパターン", "back": "受信波形を1ビット周期で重ね書きした図。" }, { "front": "再生中継", "back": "崩れた波形から0か1かを判定し、新しい波形を作り直すこと。" }, { "front": "3R機能", "back": "等化増幅・タイミング抽出・識別再生。" }, { "front": "ジッタ", "back": "パルスの時間軸方向のゆらぎ。" }, { "front": "伝送路符号化", "back": "0の連続や直流成分の偏りを避けるための符号変換。" } ] }